印染废水的裂解处理方法：

裂解处理是以N型半导体的能带理论为基础，以N型半导体作敏化剂的一种敏化氧化法。当敏化剂能量大于禁带宽度时，电子被激发，跃过禁带进入导带，则在价带上产生相应的电子-空穴，从而引发反应。水溶液中的催化氧化反应，在半导体表面失去的电子主要是水分子，水分子经一系列变化后产生氧化能力极强羟基自由基OH，氧化各种有机物，并使之矿化为CO2裂解处理一般动力学方程描述：r——反应速率；Ce——反应物浓度；K——表观吸附平衡常数；H——发生于敏化剂表面活性位置的表面反应速率常数。如果投加H2O2、KBrO3等强氧化剂，可以抑制电子－空穴复合，可以提高氧化速度。对特定的催化剂表面担载高活性的贵属或金属氧化物，如Ag、Au、Pt、Pd等，能够消除半导体带中的电子，有利于激发电子向外部迁移，有效防止电子-空穴简单复合，pt/TiO2能够提高催化降解有机物速率4.5～6倍，将pt载到TiO2降解二氯苯的活性提高30%，但是Pt，Pd等载量过多，则可能充当电子－空穴的复合中心，降低TiO2的催化性，既每种半导体催化剂表面有一个某种金属或金属氧化物最佳载量。催化氧化以N型半导体为催化剂，各种催化剂活性顺序：TiO2>ZnO>WO3。TiO2是常用的催化剂，主要有锐钛型和金红石型晶型。TiO2的化学性质，光化学性十分稳定，无毒价廉，货源充足。TiO2是一种半导体氧化物，它有充满电子的价电子带和缺电子的导带，在能级激化状态价电子带上留下的空穴有氧化性，导带上的电子具还原性，降解物在TiO2表面发生氧化还原后，价电子带又得到电子，价带上电子发生跃迁，故将使用过的TiO2通过还原，重复使用，不影响其催化活牲。

工艺缺陷该工艺的缺点主要有（1） 激化能利用率低，耗电量较大(1.3kW)