由图3、图4可以看出，ATO粉体中，在530.9eV和540.2eV左右处分别是Sb3d5／2和Sb3d5／2电子峰位，与Sn3d5中的Sb5+价态相对应，说明ATO粉体中含有Sn2d5；A70整理涤纶织物中，在532.4eV和541.9eV左右分别是Sb3d5／2和Sb3d5／2电子峰位，与Sb2O5中的Sb5+价态相对应，由此可证实Sb离子主要以+5价形式存在．结合ATO的结构可以发现：Sb离子的掺杂是一种施主杂质，当Sb5+以替代形式占据Sb4+的位置时，由于不符合化学计量比，产生多余电子，这种电子受到的束缚作用相当弱，能够在晶体中自由运动，从而形成自由载流子，使SnO2具有n-型半导体性质，从而使导电性增大。由此可见，ATO粉体整理涤纶织物的抗静电性主要是由电子导电所致，而电子导电与外界环境空气湿度无关．
3结论
采用纳米ATO粉体对涤纶织物进行后整理可提高织物的抗静电性能．在抗静电整理的过程中，纳米ATO质量浓度的影响最为显著．最优整理工艺：纳米ATO质量浓度为100g／L，粘合剂质量浓度为20g／L，轧液率为100％．纳米ATO粉体整理涤纶织物的抗静电
性主要是电子导电所致，其不受环境湿度影响．
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