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纳米A70整理涤纶的抗静电性研究

来源:印染在线 发布时间:2014年12月30日

由表1及表2可知,纳米ATO粉体质量浓度对整理织物表面比电阻值的影响特别显著,粘合剂质量浓度影响显著库L液率影响较显著,其优化方案是A2B2C2即纳米ATO100gL,粘合剂20gL,轧液率120%.考虑到实际操作中涤纶织物轧液率不易达到120%,故

轧液率取100%,则优化方案是A2B2C2,对最优工艺进行验证,测得整理织物的表面比电阻值为928x109n,小于正交实验最小的表面比电阻值103x1010n

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22抗静电性能比较

由表3可知,抗静电剂TM整理涤纶织物的抗静电性能(表面比电阻值为041x1010n)优于ATO粉体整理的织物(表面比电阻值为0.93x1010n);在干燥器中干燥数天后,抗静电剂了TM整理的织物表面比电阻增长值更大些.干燥7d后,纳米ATO粉体整理涤纶织物的表面比电阻值为252x1010n,而抗静电剂TM整理涤纶织物的表面比电阻值为308x1010n.由此可见,抗静电剂整理涤纶织物的抗静电性能对环境湿度有很大依赖性,原因是:(1)纤维上定向排列的亲水基吸水减少,无法形成连续的湿膜;(2)即使是离子型表面活性剂也需在一定湿度下才能电离㈩离子.因此,当环境湿度下降时。织物的吸湿性下降,不利于静电荷

的逸散.ATO整理涤纶织物在干燥4d后,表面比电阻不再随外界环境湿度的降低而升高,说明其导电机理不同于表面活性剂TM的离子导电或吸湿导电.ATO是一种无机纳米粉体,品格的氧缺位和5Sb杂质在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流于是ATO导电的两种主要机理.。纳米AT0粉体作为导电填料加入到纤维中,首先形成导电通路,随导电粉末添加量的增加,导电粒子间距离缩短,当达到十分接近或全接触状态后形成大量的导电网络通道,使材料的导电性提高.由此可见,纳米ATO粉体整理涤纶织物属于电子导电,纤维内部的自由电子因自由流动而具有导电性,因此,其无湿度依赖性,即使在低湿度条件下也能保持良好的导电性能.而AT0整理涤纶的抗静电性受环境湿度的影响小.


23XPS分析

由图l2可知,ATO粉体及其整理涤纶织物表面的Sn均为单一价态,ATO粉体中Sn3d52的结合能为4869eVATO整理涤纶织物中Sn3d52的结合能为4875cV,与Sn4+相对应,可以确定其组成为SnO2

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